





除了壓電傳感器之外,還有利用壓阻效應(yīng)制造出來(lái)的壓阻傳感器,利用應(yīng)變效應(yīng)的應(yīng)變式傳感器等,這些不同的壓力傳感器利用不同的效應(yīng)和不同的材料,在不同的場(chǎng)合能夠發(fā)揮它們獨(dú)特的用途。壓力傳感器使用過(guò)程中的要點(diǎn)、變送器在工藝管道上正確的安裝位置與被測(cè)介質(zhì)有關(guān),掌握壓力傳感器的正確使用方法,才能獲得佳的測(cè)量果!
1、防止變送器與腐蝕性或過(guò)熱的介質(zhì)接觸。
2、防止渣滓在導(dǎo)管內(nèi)沉積。
3、測(cè)量液體壓力時(shí),取壓口應(yīng)開在流程管道側(cè)面,以避免沉淀積渣。
4、測(cè)量氣體壓力時(shí),取壓口應(yīng)開在流程管道頂端,并且變送器也應(yīng)安裝在流程管道上部,以便積累的液體容易注入流程管道中。
5、導(dǎo)壓管應(yīng)安裝在溫度波動(dòng)小的地方。
6、測(cè)量蒸汽或其它高溫介質(zhì)時(shí),需接加緩沖管(盤管)等冷凝器,不應(yīng)使變送器的工作溫度超過(guò)極限。
多晶硅電阻膜的準(zhǔn)確阻值
此外,與單晶硅壓阻相比,多晶硅壓阻膜可以在不同的材料襯底上制作,如在介電體(SiO2、Si3N4)上。其制備過(guò)程與常規(guī)半導(dǎo)體工藝兼容,且無(wú)PN結(jié)隔離問(wèn)題,因而適合更高工作溫度(t≥200℃)場(chǎng)合使用。在相同工作溫度下,多晶硅壓阻膜與單晶硅壓阻膜相比,可更有效地抑制溫度漂移,有利于長(zhǎng)期穩(wěn)定性的實(shí)現(xiàn)。多晶硅電阻膜的準(zhǔn)確阻值可以通過(guò)光刻手段獲得。 綜上所述,多晶硅膜具有較寬的工作溫度范圍(-60~+300℃),可調(diào)的電阻率特性、可調(diào)的溫度系數(shù)、較高的應(yīng)變靈敏系數(shù)及能達(dá)到準(zhǔn)確調(diào)整阻值的特點(diǎn)。所以在研制微傳感器和微執(zhí)行器時(shí),利用多晶硅膜這些電學(xué)特性,有時(shí)比只用單晶硅更有價(jià)值。例如,利用機(jī)械性能優(yōu)異的單晶硅制作感壓膜片,在其上覆蓋一層介質(zhì)膜SiO2,再在SiO2上淀積一層多晶硅壓阻膜。這種混合結(jié)構(gòu)的微型消防電梯前室壓力傳感器,發(fā)揮了單晶硅和多晶硅材料各自的優(yōu)勢(shì),其工作高溫至少可達(dá)200℃,甚至300℃;低溫為-60℃。



