壓電式傳感器也廣泛應(yīng)用在生物醫(yī)學(xué)測量中，比如說心室導(dǎo)管式微音器就是由壓電傳感器制成的，因為測量動態(tài)壓力是如此普遍，所以壓電傳感器的應(yīng)用就非常廣。

除了壓電傳感器之外，還有利用壓阻效應(yīng)制造出來的壓阻傳感器，利用應(yīng)變效應(yīng)的應(yīng)變式傳感器等，這些不同的壓力傳感器利用不同的效應(yīng)和不同的材料，在不同的場合能夠發(fā)揮它們獨特的用途。

　　電阻應(yīng)變片壓力傳感器、壓阻式壓力傳感器、半導(dǎo)體應(yīng)變片壓力傳感器、電容式壓力傳感器、電感式壓力傳感器等等都屬于壓力傳感器的一種，這些傳感器的基本原理都是一致的，只不過用來感知壓力的部件和方式有所不同，其中壓阻式壓力傳感器因為價格低廉、性能良好而被應(yīng)用地廣泛半導(dǎo)體壓力傳感器應(yīng)運而生，它更輕便、更準(zhǔn)確，更能適應(yīng)環(huán)境，逐漸取代了傳統(tǒng)壓力傳感器。

硅單芯片為襯底的SiC薄膜

五、SiC薄膜材料 SiC是另一種在特殊環(huán)境下使用的化合物半導(dǎo)體。它由碳原子和硅原子組成。利用離子注入摻雜技術(shù)將碳原子注入單晶硅內(nèi)，便可獲得的立方體結(jié)構(gòu)的SiC。隨著摻雜濃度的差異得到的晶體結(jié)構(gòu)不同，可表示為β-SiC。β表示不同形態(tài)的晶體結(jié)構(gòu)。用離子注入法得到的SiC材料，自身的物理、化學(xué)及電學(xué)特性優(yōu)異，表現(xiàn)出高強(qiáng)度、大剛度、內(nèi)部殘余應(yīng)力很低、化學(xué)惰性極強(qiáng)、較寬的禁帶寬度（近乎硅的1-2倍）及較高的壓阻系數(shù)的特性；因此，SiC材料能在高溫下耐腐蝕、抗輻射，并具有穩(wěn)定的電學(xué)性質(zhì)。非常適合在高溫、惡劣環(huán)境下工作的微機(jī)電選擇使用。 由于SiC單晶體材料成本高，硬度大及加工難度大，所以硅單晶片為襯底的SiC薄膜就成為研究和使用的理想選擇。通過離子注入，化學(xué)氣相淀積（VCD）等技術(shù)，將其制在Si襯底上或者絕緣體襯底（SiCOI）上，供設(shè)計者選用。例如航空發(fā)動機(jī)、火箭、及等耐熱腔體及其表面部位的壓力測量，便可選用以絕緣體為襯底的SiC薄膜，作為感壓元件（膜片），并制成高溫壓力微傳感器，實現(xiàn)上述場合的壓力測量。測壓時的工作溫度可達(dá)到600℃以上。

前室壓差控制器作用線性誤差的產(chǎn)生原因

二、線性誤差： 線性誤差是初始誤差影響較小的因素，該誤差的產(chǎn)生原因在于前室壓差控制器作用硅片的物理非線性，但對于帶放 大器的傳感器，還應(yīng)包括放大器的非線性。線性誤差曲線可以是凹形曲線，也可以是凸形曲線。 三、偏移量誤差： 由于在整個前室壓差控制器作用量程范圍內(nèi)垂直偏移保持恒定，因此變換器擴(kuò)散和激光調(diào)節(jié)修正的變化將產(chǎn)生偏移 量誤差。 四、靈敏度誤差： 傳感器產(chǎn)生的靈敏度誤差大小與壓力成正比。如果設(shè)備的靈敏度高于典型值，靈敏度誤差將是壓力的遞增 函數(shù)。如果前室壓差控制器作用靈敏度低于典型值，那么靈敏度誤差將是壓力的遞減函數(shù)。該誤差的產(chǎn)生原因在于 擴(kuò)散過程的變化。